Компания Samsung начала массовое производство первых трехмерных микросхем памяти NAND-флэш с вертикальной интеграцией
30

Компания Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в передовых технологиях памяти, сообщила сегодня о начале массового производства первых трехмерных микросхем NAND-флэш с вертикальной интеграцией (V-NAND flash), которые пробивают существующие барьеры масштабирования современной технологии NAND-флэш Повышая отношение функциональных возможностей к площади, новая трехмерная память V-NAND получит применение в широком спектре потребительской электроники и коммерческих изделий, включая встроенные устройства NAND для хранения данных и твердотельные накопители (SSD).

Новая память V-NAND компании Samsung обладает плотностью 128 гигабит на один чип, что достигается применением запатентованной компанией вертикальной структуры ячеек, основанной на технологиях трехмерной флэш-памяти с захватом заряда (CTF) и вертикальных межсоединений, применяемых для соединения трехмерной матрицы ячеек. Применение этих двух технологий позволило трехмерной памяти V-NAND компании Samsung достичь масштабирования более чем в два раза по сравнению с плоской флэш-памятью NAND класса 20 нм*.

«Новая технология трехмерной флэш-памяти V-NAND – результат многолетней работы наших сотрудников, направленной на выход за пределы обычных представлений и использование более инновационных подходов к преодолению конструкторских ограничений в технологии полупроводниковой памяти, – сказал Джеонг-Хьюк Чои (Jeong-Hyuk Choi), первый вице-президент Samsung Electronics по флэш-изделиям и технологиям. – После запуска первого в мире массового производства трехмерной NAND-памяти с вертикальной интеграцией мы будем представлять трехмерные изделия V-NAND с улучшенными характеристиками и большей плотностью, что внесет свой вклад в дальнейший рост мировой отрасли производства памяти».

В течение последних 40 лет традиционная флэш-память была основана на плоских структурах, в которых использовались плавающие затворы. Когда технология производства достигла и превзошла класс 10 нм, возникли опасения о приближающемся пределе масштабирования из-за взаимного влияния ячеек, вызывавшего снижение надежности изделий NAND-флэш. Это также приводило к увеличению времени и затрат на разработку.


Новая память V-NAND компании Samsung преодолевает эти технические проблемы за счет перехода на новый уровень инноваций в схемах, структурах и технологических процессах, с помощью которых удалось успешно разработать конструкцию вертикального штабелирования слоев плоских ячеек для получения новой трехмерной структуры. Чтобы сделать это, компания Samsung переделала архитектуру CTF, которая была впервые создана в 2006 году. В архитектуре NAND-флэш на основе CTF компании Samsung электрический заряд временно размещается в удерживающей камере непроводящего слоя флэш-памяти, который состоит из нитрида кремния (SiN). Это подход используется вместо плавающего затвора с целью предотвращения взаимного влияния соседних ячеек.

Когда этот слой CTF был сделан трехмерным, надежность и скорость NAND-памяти резко возросли. Новая трехмерная память V-NAND демонстрирует не только увеличение надежности от 2 до 10 раз, но также увеличивает вдвое производительность записи по сравнению с традиционной памятью NAND-флэш класса 10 нм с плавающим затвором.

Также, одним из важнейших технологических достижений новой памяти V-NAND от компании Samsung является то, что запатентованная компанией технология вертикальных межсоединений позволяет собирать в штабель до 24 слоев ячеек по вертикали с помощью специальной технологии травления, которая электрически соединяет слои, пробивая отверстия от верхнего слоя к нижнему. Новая вертикальная структура позволяет компании Samsung обеспечить более высокую плотность памяти NAND-флэш за счет увеличения числа трехмерных слоев ячеек без необходимости дальнейшего масштабирования в плоскости, достижение чего стало крайне затруднительным.

После почти 10 лет исследований трехмерной NAND-памяти с вертикальной интеграцией компания Samsung теперь обладает по всему миру более чем 300 технологиями трехмерной памяти, ожидающими патента. Имея первую в отрасли полностью функциональную трехмерную NAND-память с вертикальной интеграцией, компания Samsung усилила свои конкурентные позиции в отрасли производства памяти, а также создала фундамент для передовых изделий, таких как терабитная память NAND-флэш, задав более высокий ритм развития отрасли.

По данным IHS iSuppli, ожидается, что мировой рынок памяти NAND-флэш к концу 2016 года достигнет показателя около 30,8 млрд. долларов США по прибыли при том, что в 2013 году данный показатель составит около 23,6 млрд. долларов США, а совокупный темп годового роста будет равен 11%, составляя лидирующий рост по всей отрасли производства памяти.

Возврат к списку


14 июня 2017, Санкт-Петербург

Практическая конференция
«Сборочно-монтажное оборудование.
Технологии и практические решения»

Вернуться на сайт Подробнее